+ CSD75205W1015, Сдвоенный P-канальный силовой MOSFET NexFET™ с общим истоком
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

CSD75205W1015 Сдвоенный P-канальный силовой MOSFET NexFET™ с общим истоком

 

Блок-схема

CSD75205W1015, Сдвоенный P-канальный силовой MOSFET NexFET™ с общим истоком

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность P
Каналов,шт 2
VDS,В -20
RDS(ON) 1.8 В,мОм 145
RDS(ON) 4.5 В,мОм 95
ID,А -1.2
PD,Вт 0.75
Корпус WLP-6

Общее описание

Отличительные особенности

  • Сдвоенный P-канальный MOSFET с общим истоком
  • Компактные размеры посадочного места 1 х 1.5 мм
  • Функция фиксации напряжения затвор-исток
  • Защита затвора от электростатического разряда: -3 кВ
  • Без содержания свинца и галогенов
  • Отвечает требованиям RoHS
Datasheet
 
CSD75205W1015 (220.8 Кб), 13.01.2010

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

CSD75205W1015 Сдвоенный P-канальный силовой MOSFET NexFET™ с общим истоком (220.8 Кб), 13.01.2010



Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1267 		Дата публикации: 13.01.2010 14:54
Дата редактирования: 13.01.2010 14:56

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (926) 618 1287 | email: admin@eust.ru

© 1998-2019 ООО Рынок Микроэлектроники