Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
BS250F | SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -45 | - | - | - | - | 9000 | -0.09 | 0.33 |
SOT-23-3 |
|
BS250KL | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 60 | - | - | - | 5500 | 3100 | 0.27 | 0.8 |
TO-92 |
|
BS250P | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -45 | - | - | - | - | 14000 | -0.23 | 0.7 |
TO-92 |
|
BS270 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1800 | 1200 | 0.4 | 0.625 |
TO-92 |
|
BS870 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 3500 | 0.25 | 0.3 |
SOT-23-3 |
|
BSB012N03LX3 | Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 1.8 | 1.2 | 180 | 89 |
|
|
BSB014N04LX3 | Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 2 | 1.4 | 180 | 89 |
|
|
BSB028N06NN3 | Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.8 | 90 | 78 |
|
|
BSB056N10NN3 G | MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 5.6 | 83 | 78 |
|
|
BSC009NE2LS5 | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 1.25 | 0.9 | 100 | 74 |
|
|
BSC009NE2LS5I | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 1.35 | 0.95 | 100 | 74 |
|
|
BSC010N04LS | Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 1.3 | 100 | 139 |
|
|
BSC010N04LSI | Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 1.4 | 1.05 | 100 | 139 |
|
|
BSC010NE2LS | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 25 В, 100 А, 1.0 мОм | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 1.3 | 1 | 100 | 96 |
|
|
BSC011N03LS | Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 1.4 | 1.1 | 100 | 96 |
|
|
BSC014N04LS | Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 1.9 | 1.4 | 100 | 96 |
|
|
BSC014N04LSI | Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 2 | 1.45 | 100 | 96 |
|
|
BSC014N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.45 | 100 | 156 |
|
|
BSC016N04LS | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 40 В, 100 А, 1.6 мОм | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 2.3 | 1.6 | 100 | 139 |
|
|
BSC016N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.6 | 100 | 139 |
|