Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 47 48 49 50 51 52 53 54 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IRLS3036-7PPbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 60 - - - 1.7 1.5 300 380 D2-PAK-7
IRLS3036PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 60 - - - 2.2 1.9 270 380 D2-PAK
IRLS4030-7PPbF 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 100 - - - 3.3 3.2 190 370 D2-PAK-7
IRLS4030PbF 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 100 - - - 3.4 3.6 180 370 D2-PAK
IRLSL3034PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 40 - - - 1.6 1.4 343 375 TO-262
IRLSL3036PbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 60 - - - 2.2 1.9 270 380 TO-262
IRLSL4030PbF 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 100 - - - 3.4 3.6 180 370 TO-262
IRLTS2242TRPBF Однокристальный p-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 20В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
 P 1 -20 - 55 - 32 - -6.9 2 TSOP-6
IRLTS6342TRPBF Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - 22 - 17.5 - 8.3 2 TSOP-6
IRLU014N HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 55 - - - 210 140 10 28 I-PAK
IRLU024N HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 55 - - - 110 65 17 38 I-PAK
IRLU024Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 55 - - - 100 58 16 35 I-PAK
IRLU120N HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 100 - - - 265 185 10 39 I-PAK
IRLU2703 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 65 45 23 38 I-PAK
IRLU2705 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 55 - - - 65 40 28 46 I-PAK
IRLU2905 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 55 - - - 40 27 42 69 I-PAK
IRLU2905Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 55 - - - 22.5 13.5 42 110 I-PAK
IRLU2908 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 80 - - - 30 28 30 120 I-PAK
IRLU3103 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 24 19 55 69 I-PAK
IRLU3105 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 55 - - - 43 37 25 57 I-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 47 48 49 50 51 52 53 54 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники