Благодаря низкому значению сопротивления открытого канала, транзисторы обеспечивают минимальные потери проводимости и высокий КПД

Полевые транзисторы новейшего семейства CoolMOS™ P7 с рабочим напряжением до 800 В объединяют в себе превосходную производительность и простоту использования, что является результатом 18-летних инновационных разработок технологии суперперехода компании Infineon. Устройства отличаются увеличенным на 0.1%…0.6% коэффициентом полезного действия и уменьшенной на 2°C…8°C рабочей температурой перехода, по сравнению с семейством CoolMOS™ C3, что подтверждено тестами в базовых обратноходовых топологиях. Такие высокие характеристики транзисторов получены за счет сочетания различных параметров: уменьшенными в два раза энергией сток-исток E_OSS и величиной заряда затвора Q_G, а также сниженной входной C_ISS и выходной C_OSS емкости.

Новые транзисторы идеально подходят для применения в маломощных импульсных источниках питания, в полной мере отвечая таким требованиям, как высокая производительность, простота использования и высокое соотношение цена-качество. Целевой областью применения транзисторов CoolMOS™ P7 являются преобразователи напряжения с обратноходовой топологией, такие как адаптеры питания, зарядные устройства, драйверы светодиодов, импульсные источники питания аудиоустройств, резервные источники питания и промышленные преобразователи мощности.

Функциональная блок-схема транзисторов CoolMOS™ P7

Отличительные особенности:

• Превосходные показатели качества (FOM = R_DS(ON) х E_OSS); сниженный заряд затвора Q_G, малые входная C_ISS и выходная C_OSS емкости
• Малое сопротивление открытого канала R_DS(ON) для корпуса DPAK: 280 мОм, 360 мОм и 450 мОм
• Низкое пороговое напряжение затвор-исток V_(GS)th: 3.0 В, и малая его вариация: 0.5 В
• Встроенный стабилитрон для защиты от электростатических разрядов: до 2-го класса по модели человеческого тела
• Высокое качество и надежность

Преимущества:

• Увеличенный на 0.1%…0.6% КПД и сниженная на 2°C…8°C рабочая температура перехода по сравнению с 800-вольтовыми транзисторами предыдущего поколения CoolMOS™ C3
• Увеличивают плотность мощности системы, снижают затраты на комплектующие и стоимость монтажа
• Простая схема управления и легкость интеграции в пользовательское приложение
• Повышают доходность производства за счет высокой стойкости к отказам, связанным со статическими разрядами
• Упрощают процесс производства и снижают уровень возврата
• Облегчают правильный выбор компонентов для создания оптимальных конструкций

Область применения:

• Сетевые адаптеры
• Светодиодное освещение
• Аудиоусилители
• Промышленные импульсные источники питания
• Резервные источники питания

Доступные на сегодня MOSFET-транзисторы семейства CoolMOS™ P7

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку.  

Автор документа: Жанна Свирина , http://www.gaw.ru"	Дата публикации: 18.01.2017 Дата редактирования: 18.01.2017
Кол-во просмотров 718
Все новости одной лентой