Fairchild Semiconductor: FGH75T65SQD — новые IGBT-транзисторы на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения
 

Новые приборы обладают плавной характеристикой переключения, что приводит к минимальным выбросам напряжения и низкому «звону» и, как следствие, низкому уровню электромагнитного излучения и высокой надежности транзистора

IGBT-транзистор FGH75T65SQD

Компания Fairchild представила быстродействующие IGBT-транзисторы на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения с низкими потерями на переключение. Новые приборы обладают плавной характеристикой переключения, что приводит к минимальным выбросам напряжения и низкому «звону» и, как следствие, низкому уровню электромагнитного излучения и высокой надежности транзистора.

Новый IGBT-транзистор FGH75T65SQD на основе технологии Field Stop Trench поддерживает напряжение коллектор-эмиттер 650 В и ток коллектора до 75 А. Прибор оптимизирован для применения в солнечных инверторах, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, телекоммуникационном оборудовании, коммутирующих схемах и корректорах коэффициента мощности, для которых основным критерием являются низкие потери проводимости и потери на переключение.

Технология Fieldstop четвёртого поколения позволяет создавать IGBT-транзисторы с наилучшим показателем качества. Производитель намерен выпускать транзисторы с различным соотношением напряжения насыщения к энергии выключения (VCE(sat)/Eoff), чтобы сделать данную технологию наилучшим выбором для любых приложений и топологий.



IGBT-транзистор FGH75T65SQD

Отличительные особенности:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер VCES: 650 В
  • Максимальный ток коллектора IC: 75 А (при TC = +100°C), 150 А (при TC = +25°C)
  • Низкое напряжение насыщения VCE(sat): 1.6 В при токе коллектора 75 А
  • Положительный температурный коэффициент позволяет использовать несколько транзисторов в параллельном включении
  • Высокое входное сопротивление
  • Высокая скорость переключения
  • Все транзисторы прошли тест по методике ILM(1)
  • Небольшой разброс параметров между отдельными экземплярами изделия
  • Максимальная температура перехода: +175°C
  • Корпус TO-247, соответствующий требованиям директивы RoHS

Область применения:

  • Солнечные инверторы
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Сварочные аппараты
  • Телекоммуникационное оборудование
  • Электронные коммутирующие схемы (ESS)
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC)


Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку.

Связанные компоненты

FGH75T65SQD, 21.10.2016
IGBT-транзистор на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения, 650 В, 75 А

 
Автор документа: Жанна Свирина , http://www.gaw.ru"
Дата публикации: 21.10.2016
Дата редактирования: 21.10.2016
Кол-во просмотров 2249
 
 Все новости одной лентой