Новые MOSFET-транзисторы, выполненные по технологии STripFET™ F7 в корпусах H2PAK-2 и H2PAK-6

N-канальные силовые MOSFET-транзисторы STH310N10F7 на основе технологии STripFET™ F7 имеют улучшенную структуру затвора с V-образной канавкой, которая позволяет значительно снизить сопротивление открытого канала и уменьшить внутреннюю емкость и заряд затвора, что способствует повышению быстродействия прибора и его КПД.

Силовой MOSFET транзистор STH310N10F7

Отличительные особенности:

• Напряжение сток-исток V_DS: 100 В (макс.)
• Ток стока I_D: 180 А (макс.)
• Мощность рассеяния: 315 Вт
• Самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала R_DS(ON): 1.9 мОм (тип.) / 2.3 мОм (макс.)
• Превосходный показатель качества (FoM)
• Низкое отношение емкости затвор-сток к входной емкости (затвор-исток) C_rss/C_iss, гарантирующее высокую стойкость к электромагнитным помехам
• Рабочая температура перехода T_J: от -55°C до +175°C
• Корпуса: 2-выводной H²PAK-2 и 6-выводной H²PAK-6

Область применения:

• Сильноточные схемы коммутации
• Источники питания
• Схемы управления электродвигателем

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку.

Связанные компоненты

STH310N10F7-2, 24.08.2016
N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7

STH310N10F7-6, 24.08.2016
N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7

 

---

Автор документа: Жанна Свирина , http://www.gaw.ru"	Дата публикации: 24.08.2016 Дата редактирования: 24.08.2016
Кол-во просмотров 2172
Все новости одной лентой