Компания ON Semiconductor анонсирует интегральный силовой модуль (PIM) NXH80T120L2Q0PG, выполненный на основе IGBT-транзисторов с технологией Trench Field Stop II и надежных сверхбыстрых диодов с малым временем восстановления
Устройства выпускаются в полу-мостовой конфигурации с рабочим напряжением 1200 В и током нагрузки 80 А, а также в конфигурации инвертора T-типа с фиксированной нейтральной точкой, рабочим напряжением 600 В и током нагрузки 50 А. При этом максимально достижимое значение КПД превышает 98%. NXH80T120L2Q0PG выпускаются с применением высоковольтной технологии прямого соединения кристалла с медной подложкой (DBC) и запрессованными выводами, что обеспечивает высокую производительность и надежность решения.
IGBT-модуль NXH80T120L2Q0PG |
Отличительные особенности:
- Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер VCES IGBT-транзистора:
- В полу-мостовой конфигурации: 1200 В
- С фиксированной нейтральной точкой: 600 В
- Максимальный ток коллектора IC IGBT-транзистора:
- В полу-мостовой конфигурации: 80 А
- С фиксированной нейтральной точкой: 50 А
- Модуль выполнен на высокоэффективных IGBT-транзисторах с технологией Trench Field Stop II
- Высокая плотность мощности
- Низкая индуктивность схемы
Область применения:
- Инверторы солнечных панелей
- Инверторы источников бесперебойного питания
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку.
Связанные компоненты
NXH80T120L2Q0PG, 24.06.2016Интегрированный силовой IGBT модуль на 1200 В / 80 А
Автор документа: Жанна Свирина
, http://www.gaw.ru" |
Дата публикации: 24.06.2016 Дата редактирования: 24.06.2016 |
Кол-во просмотров 591 | |
Все новости одной лентой |