ON Semiconductor: NXH80T120L2Q0 — интегрированный силовой IGBT модуль на 1200 В / 80 А
 

Компания ON Semiconductor анонсирует интегральный силовой модуль (PIM) NXH80T120L2Q0PG, выполненный на основе IGBT-транзисторов с технологией Trench Field Stop II и надежных сверхбыстрых диодов с малым временем восстановления

NXH80T120L2Q0PG

Устройства выпускаются в полу-мостовой конфигурации с рабочим напряжением 1200 В и током нагрузки 80 А, а также в конфигурации инвертора T-типа с фиксированной нейтральной точкой, рабочим напряжением 600 В и током нагрузки 50 А. При этом максимально достижимое значение КПД превышает 98%. NXH80T120L2Q0PG выпускаются с применением высоковольтной технологии прямого соединения кристалла с медной подложкой (DBC) и запрессованными выводами, что обеспечивает высокую производительность и надежность решения.

IGBT-модуль NXH80T120L2Q0PG

IGBT-модуль NXH80T120L2Q0PG

Отличительные особенности:

  • Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер VCES IGBT-транзистора:
    • В полу-мостовой конфигурации: 1200 В
    • С фиксированной нейтральной точкой: 600 В
  • Максимальный ток коллектора IC IGBT-транзистора:
    • В полу-мостовой конфигурации: 80 А
    • С фиксированной нейтральной точкой: 50 А
  • Модуль выполнен на высокоэффективных IGBT-транзисторах с технологией Trench Field Stop II
  • Высокая плотность мощности
  • Низкая индуктивность схемы

Область применения:

  • Инверторы солнечных панелей
  • Инверторы источников бесперебойного питания


Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку.

Связанные компоненты

NXH80T120L2Q0PG, 24.06.2016
Интегрированный силовой IGBT модуль на 1200 В / 80 А

 
Автор документа: Жанна Свирина , http://www.gaw.ru"
Дата публикации: 24.06.2016
Дата редактирования: 24.06.2016
Кол-во просмотров 591
 
 Все новости одной лентой