Регулятор питания компании Linear Technology для микросхем памяти DDR и QDR4 SRAM в микромодульном исполнении с диапазоном входного напряжения от 3.3 В до 15 В и монтажной площадью 0.5 см²
 

Областью применения устройства являются шины PCIe, системы облачных сервисов, RAID-массивы, системы обработки видеосигналов и сетевые инфраструктуры

Linear Technology представляет трёхканальный регулятор питания LTM4632 в исполнении μModule, предназначенный для формирования всех трёх шин питания новых микросхем памяти QDR4 и старых DDR SRAM: VDDQ, VTT и VTTR (или VREF). Устройство выпускается в ультратонком лёгком корпусе LGA размерами 6.25 мм x 6.25 мм x 1.82 мм и может монтироваться на обратной стороне печатной платы. Вместе с одним внешним резистором и тремя конденсаторами схема занимает монтажную площадь не более 0.5 см² на двухсторонней и 1 см² на односторонней печатной плате. Один модуль способен обеспечить ток на линии VDDQ до 3 А, а на линии VTT - ±3 А (VTT = VDDQ /2). При параллельном включении двух модулей LTM4632 ток нагрузки увеличивается до 6 А на одну шину питания, что можно использовать для обслуживания банков памяти больших размеров. Для дальнейшего роста нагрузочной способности по линии VDDQ, если нагрузкой является большой массив памяти SRAM, возможна совместная работа LTM4632 с модулем LTM4630. В этом случае ток линии VDDQ будет находиться в диапазоне от 18 А до 36 А. Если линия VDDQ уже обслуживается другим источником питания, то LTM4632 можно сконфигурировать в качестве двухфазного одноканального регулятора для линии VTT с током нагрузки до 6 А.

На вход модуля допускается подача напряжения в пределах от 3.3 В до 15 В, что идеально подходит для работы со стандартными шинамя питания на 5 В и 12 В. Выходное напряжение на двух выходах VDDQ и VTT регулируется в диапазоне от 0.6 В до 2.5 В. Третий канал LTM4632 используется как малошумящий источник питания с буферизированным выходом и током нагрузки 10 мА для подключения к выводу питания VTTR микросхем SRAM. Областью применения устройства являются шины PCIe, системы облачных сервисов, RAID-массивы, системы обработки видеосигналов и сетевые инфраструктуры, в которых используются микросхемы SRAM следующих типов: DDR/DDR-II/DDR-III/DDR4/QDR/QDR-II/QDR-II+ и QDR4.

Конструктивно LTM4632 включает в себя три преобразователя постоянного напряжения, разделённых на две схемы, силовые ключи, индуктивности и сопутствующие компоненты в компактном, ультратонком корпусе. Диапазон рабочих температур устройства составляет от –40° до +125°.

Внутренняя архитектура LTM4632

Внутренняя архитектура LTM4632

Отличительные особенности:

  • Завершенный источник питания микросхем памяти DDR/QDR4, занимающий площадь 1 см² на односторонней и 0.5 см² на двухсторонней печатной плате
  • Максимальный ток по линии питания VDDQ и VTT - 3 А, а в двухфазной одноканальной конфигурации - 6 А по линии VTT
  • Широкий диапазон входного напряжения: от 3.6 В (при объединении выводов VIN и INTVCC) до 15 В
  • Диапазон выходного напряжения: от 0.6 В до 2.5 В
  • Наличие буферизированного выхода VTTR = VDDQ/2 с выходным током ±10 мА и выходной нестабильностью ±1.5%
  • Возможность синхронизации с внешним источником тактового сигнала
  • Ультратонкий корпус LGA размером 6.25 мм x 6.25 мм x 1.82 мм


Опытные образцы доступны для заказа в ООО «Гамма Плюс»

Связанные компоненты

LTM4632, 22.11.2016
Ультратонкий, 3-канальный, понижающий регулятор питания μModule для микросхем памяти DDR и QDR4 SRAM

 
Автор документа: Антон Любтеев , http://www.icgamma.ru"
Дата публикации: 30.05.2016
Дата редактирования: 30.05.2016
Кол-во просмотров 976
 
 Все новости одной лентой