Freescale Semiconductor: MRFE6VP61K25H/N — сверхнадежный радиочастотный LDMOS-транзистор мощностью 1250 Вт с напряжением сток-исток 50 В и рабочим диапазоном частот от 1 МГц до 600 МГц
 

Новые LDMOS-транзисторы от компании Freescale предназначены для вновь создаваемых приложений и могут увеличивать надёжность и характеристики уже существующих систем

APDS9960

Компания Freescale расширила линейку мощных LDMOS-транзисторов для использования в диапазоне частот до 2000 МГц. MRFE6VP61K25H, MRFE6VP61K25N представляют собой высоконадёжный компонент, разработанный для применения в промышленных системах с высоким коэффициентом стоячей волны по напряжению (VSWR) – лазерах и возбудителях плазмы, радиовещании – аналоговом и цифровом, аэрокосмической отрасли и системах наземной мобильной связи. Благодаря несогласованности входной и выходной цепи, транзистор может работать в широком диапазоне частот – от 1.8 МГц до 600 МГц.

Отличительные особенности:

  • Выходная мощность: 1250 Вт при амплитудной модуляции в точке децибельной компрессии (P1dB) и напряжении сток-исток 50 В
  • Диапазон рабочих частот: от 1 МГц до 600 МГц при несогласованной входной и выходной цепи
  • Доступные корпуса: керамический NI-1230 (MRFE6VP61K25H) или пластиковый OM-1230 (MRFE6VP61K25N)
  • Схема применения: двухтактные схемы, используемые в несимметричном режиме
  • Чрезвычайно высокая устойчивость: коэффициент стоячей волны по напряжению 65:1
  • Включен в программу долгосрочного обслуживания Freescale: до 2025 г.
  • Рекомендуемая модель драйвера: MRFE6VS25N (25 Вт)

Область применения:

  • Источники лазерного излучения
  • Плазменная гравировка
  • ЧМ-радиовещание
  • Телевизионное вещание диапазона ОВЧ
  • Синхротроны
  • Любительские радиостанции
  • Низкочастотные радары
  • Магнитно-резонансная томография (MRI)
  • Медицинское оборудование
  • Плазменное освещение


Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку.

Связанные компоненты

MRFE6VP61K25H, 30.06.2015
Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)

MRFE6VP61K25N, 30.06.2015
Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)

 
Автор документа: Жанна Свирина , http://www.gaw.ru"
Дата публикации: 30.06.2015
Дата редактирования: 30.06.2015
Кол-во просмотров 873
 
 Все новости одной лентой