Новые транзисторы обладают расширенной областью безопасной работы (SOA) и низким падением напряжения на открытом транзисторе

МТ-систем, официальный дистрибьютор IXYS, предлагает два новых Press-Pack IGBT транзистора - T0258HF65G и T0900DF65A. Транзисторы способны коммутировать токи до 258А и до 900А, устойчивы к пиковым токам (516А и 1800А) и отличаются рекордно высоким рабочим напряжением 6,5кВ.

Транзисторы T0258HF65G и T0900DF65A характеризуются увеличенным размером кристалла, что было сделано для оптимизации активной области работы и снижения паразитных параметров.

Новые транзисторы входят в линейку IXYS Press-Pack IGBT, транзисторы в которой обладают расширенной областью безопасной работы (SOA) и низким падением напряжения на открытом транзисторе.

Все Press-Pack IGBT транзисторы IXYS выполнены в полностью герметичных металло-керамических корпусах, обеспечивают двухсторонний теплоотвод, позволяют использовать охлаждение в масляной ванне, легко собираются в последовательные столбы (stack-сборки), обладают высокой стойкостью к термоциклированию и работоспособны при температурах до -60°С (запросить подробностизапросить подробности).

Технические характеристики:

Параметр	T0258HF65G	T0900DF65A
Напряжение коллектор-эмиттер Vces,(В)	6500
Постоянный ток через открытый транзистор, (А)	258	900
Повторяющийся импульсный ток - открытый транзистор, tp=1мс, (А)	516	1800
Падение напряжения на открытом транзисторе Vce(sat)typ , Tj=25°C, (В)	3.6
Потери энергии при включении Eon / выключении Eoff, (Дж)	1,8 / 1,45	6,5 / 5,3
Диаметр / высота корпуса, (мм)	100 / 30	144 / 30
Усилие прижатия при монтаже, (кН)	12 .. 16	45 .. 55

Использование в высоковольтных приложениях более высоковольтных 6,5кВ транзисторов позволяет уменьшить количество последовательно соединенных ключевых элементов, драйверов и снабберов.

Кроме того, транзисторы T0258HF65G и T0900DF65A оснащены встроенным анти-параллельным диодом, что позволяет отказаться от установки внешних обратно-параллельных диодов. В результате этих факторов упрощается конструкция элементов высоковольтного узла - прижимного устройства и системы охлаждения, а надёжность приложения возрастает.

Области применения:

• Высоковольтные приводы для промышленности
• Статические компенсаторы реактивной мощности STATCOM
• Регуляторы VAr и системы FACTS
• Тяговый электропривод судового и рельсового транспорта
• Инфраструктура высоковольтных линий электропередач
• Преобразователи для возобновляемой энергетики

Все микросхемы доступны для заказа, возможно предоставление образцов под проект в MT System

• тел.: +7 (812) 325-36-85, 786-98-70
• факс: +7 (812) 786-85-79
• micro@mtgroup.ru
• www.mt-system.ru

Связанные компоненты

T0258HF65G, 22.07.2014
Press-Pack IGBT транзистор

T0900DF65A, 22.07.2014
Press-Pack IGBT транзистор

 

---

Автор документа: Антон Макаренко , http://www.mt-system.ru"	Дата публикации: 22.07.2014 Дата редактирования: 22.07.2014
Кол-во просмотров 1060
Все новости одной лентой