Драйвер верхнего ключа способен управлять eGaN-транзисторами c рабочим напряжением до 100 В

LM5113 — это высокоинтегрированный, 5-амперный, 100-вольтовый полумостовой драйвер затвора, позволяющий увеличить эффективность мощных высоковольтных приложений. LM5113 предназначен для управления полевыми транзисторами на основе технологии eGaN (enhancement-mode GaN) в режиме верхнего и нижнего плеча в синхронной повышающей или полумостовой конфигурациях. Драйвер верхнего ключа способен управлять eGaN-транзисторами c рабочим напряжением до 100 В. Напряжение смещения верхнего ключа генерируется методом bootstrap и внутренне ограничено уровнем 5 В, не позволяя напряжению затвора превысить максимально допустимое напряжение затвор-исток eGaN-транзистора. Входы LM5113 совместимы с логическим TTL уровнем и способны выдерживать напряжение вплоть до 14 В независимо от напряжения питания.

Отличительные особенности:

• Независимые, TTL-совместимые входы управления драйверов верхнего и нижнего ключа
• Пиковый ток: входящий — 1.2А; исходящий — 5А
• Шина напряжения смещения верхнего ключа до 100 В постоянного тока
• Независимые выходы для регулировки интенсивности включения/выключения
• Малое время задержки распространения сигнала: 28 нс (тип.)
• Схема защиты от недопустимого снижения напряжения (UVLO) шины питания
• Малый ток потребления
• Рабочая температура: -40…+125°C
• 10-выводной корпус LLP, размером 4 х 4 мм

Доступна отладочная плата Evaluation Board for the LM5113.

За более подробной информацией обращайтесь:

• E-mail: info@promelec.ru
• Тел: +7 (343) 245 68 20

Задать вопрос техподдержке вы можете на нашем форуме

Связанные компоненты

LM5113

Автор документа: Промэлектроника , http://www.promelec.ru"	Дата публикации: 22.08.2012 Дата редактирования: 22.08.2012
Кол-во просмотров 1072
Все новости одной лентой