International Rectifier расширяет номенклатуру надежных сверхбыстродействующих биполярных транзисторов с изолированным затвором изделиями, рассчитанными на напряжение 600В
 

Новые ИС для источников бесперебойного питания, солнечных батарей, промышленных электродвигателей и сварочных агрегатов

IRGP4066DPbF, IRGPS4067DPbF Компания International Rectifier, ведущий производитель элементной базы для систем управления силовым оборудованием, представила ИС IRGPS4067DPbF и IRGP4066DPbF, надежные сверхбыстродействующие биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) на 600В для источников бесперебойного питания, солнечных батарей, промышленных электродвигателей и применения в сварочных аппаратах.

В сверхбыстродействующих IGBT IRGPS4067DPbF и IRGP4066DPbF используется тонкопленочная технология Field-Stop Trench, которая дает возможность существенно снизить потери на переключение и электропроводность диэлектрика. При интеграции в корпус вместе с ограничивающим диодом в обратном включении, представленные ИС могут работать со сверхвысокой частотой переключения (8KГц-30KГц), выдерживают краткосрочное короткое замыкание до 5мкс, имеет пониженное значение положительного температурного коэффициента VCE(on) для упрощения параллельного включения нескольких ИС.

По мнению специалистов компании International Rectifier, новые транзисторы на 600В, имеющие высокое быстродействие и низкий температурный коэффициент позволят существенно повысить эффективность разработки масштабных систем повышенной надежности.

ИС выпускаются как в корпусе, так и в бескорпусном варианте, а также имеют модификации со схемой защиты от короткого замыкания мгновенного действия и с отложенной реакцией. Ключевыми характеристиками новых ИС, дающими возможность повысить надежность разработки, являются: максимальная температура p-n-перехода в 175°C и низкий уровень электромагнитных помех.

Связанные компоненты

IRGPS4067D, 21.03.2012
Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда

IRGP4066D, 21.03.2012
Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда

 
Автор документа: Варламов , http://www.rtcs.ru"
Дата публикации: 21.03.2012
Дата редактирования: 21.03.2012
Кол-во просмотров 756
 
 Все новости одной лентой