Новые ИС позволяют повысить общую производительность системы за счет существенного сокращения потерь на переключение и электропроводность диэлектрика
Компания International Rectifier, ведущий производитель элементной базы для систем управления силовым оборудованием, представила семейство надежных сверхбыстродействующих биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) на 1200В для схем индукционного нагрева IRG7PH35, IRG7PH42, IRG7PH46, IRG7PH50, источников бесперебойного питания, применнения в приложениях агрегирования солнечной энергии и сварки.
В новом семействе сверхбыстродействующих IGBT на 1200В используется тонкопленочная технология Field-Stop Trench, которая дает возможность существенно снизить потери на переключение и электропроводность диэлектрика, и таким образом достичь повышения энергоэффективности на высоких рабочих частотах. Эти транзисторы оптимизированы для применения в приложениях, которые не требуют защиты от короткого замыкания, например, источники бесперебойного питания, инверторы, сварочные аппараты, и таким образом дополняют номенклатуру продукции компании с функцией допустимого короткого замыкания в течение 10 мкс, которая применяется для приложений управления электродвигателями.
По мнению специалистов компании International Rectifier, существенный выигрыш с точки зрения производительности при применении новых транзисторов, в которых применена передовая технология снижения потерь при одновременном повышении рабочих частот, позволит существенно снизить общую стоимость разрабатываемых в настоящее время устройств.
При диапазоне рабочего тока от 20 до 50А транзистора в корпусе, сам кристалл допускает ток в 150А. Ключевые характеристики производительности включают: широкий диапазон обратного смещения в области устойчивой работы (RBSOA), низкое значение положительного температурного коэффициента VCE(on) для снижения рассеиваемой мощности и достижения максимальной удельной полезной мощности. В дополнение, устройства выпускаются без и со встроенным диодом с накоплением заряда. Бескорпусные изделия выпускаются с теплоотводящей фронтальной металлической пластиной для достижения повышенной надежности, производительности и эффективности.
Связанные компоненты
IRG7PH35U, 20.03.2012Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В
IRG7PH35UD, 20.03.2012Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод
IRG7PH42U, 20.03.2012Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В
IRG7PH42UD, 20.03.2012Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод
IRG7PH46U, 20.03.2012Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В
IRG7PH46UD, 20.03.2012Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод
IRG7PH50U, 20.03.2012Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В
IRG7PSH50UD, 20.03.2012Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод
|
Автор документа: Варламов
, http://www.rtcs.ru" |
Дата публикации: 20.03.2012 Дата редактирования: 20.03.2012 |
| Кол-во просмотров 1243 | |
 Все новости одной лентой |
