National Semiconductor представила высокоскоростной драйвер полевых транзисторов
 

5 А, 100 В полумостовой драйвер затвора GaN FET-транзисторов, работающих в режиме обогащения

LM5113LM5113 – это высокоинтегрированный, 5-амперный, 100-вольтовый полумостовой драйвер затвора, позволяющий увеличить плотность мощности и эффективность высоковольтных приложений.

LM5113 предназначен для управления полевыми транзисторами на основе нитрида галлия (GaN FET), работающих в режиме насыщения, верхнего и нижнего плеча в синхронной повышающей или полумостовой конфигурациях. «Плавающий» драйвер верхнего ключа способен управлять GaN FET транзисторами с режимом насыщения с рабочим напряжением до 100 В. Напряжение смещения верхнего ключа генерируется методом подпитки (bootstrap) и внутренне ограничено уровнем 5 В, не позволяя напряжению затвора превысить максимально допустимое напряжение затвор-исток GaN FET транзистора с режимом насыщения. Входы LM5113 совместимы с логическим TTL уровнем и способны выдерживать напряжение вплоть до 14 В, не зависимо от напряжения питания VDD. LM5113 имеет независимые выходы затворов, что обеспечивает высокую гибкость регулирования интенсивности включения и выключения.

Упрощенная блок-схема LM5113
Упрощенная блок-схема LM5113

Отличительные особенности

  • Независимые, TTL-совместимые выходы управления драйверов верхнего и нижнего ключа
  • Пиковый ток: сток – 1.2 А; исток – 5 А
  • «Плавающая» шина напряжения смещения верхнего ключа до 100 В (постоянного тока)
  • Независимые выходы для регулировки интенсивности включения/выключения
  • Стягивающее / подтягивающее сопротивление: 0.5 Ом / 2 Ом
  • Малое время задержки распространения сигнала: 30 нс (тип.)
  • Высокий уровень согласования времени задержки: 2 нс (тип.)
  • Схема защиты от недопустимого снижения напряжения (UVLO) шины питания
  • Малый ток потребления
  • Температура перехода: -40…+125°C
  • 10-выводной корпус LLP, размером 4 х 4 мм


Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку.

Связанные компоненты

LM5113, 26.10.2011
Высокоинтегрированный, 5-амперный, 100-вольтовый полумостовой драйвер затвора GaN FET-транзисторов

 
Автор документа: Жанна Свирина , http://www.gaw.ru"
Дата публикации: 26.10.2011
Дата редактирования: 26.10.2011
Кол-во просмотров 1670
 
 Все новости одной лентой