NXP представляет технологию Gen8 LDMOS для базовых станций с интенсивным использованием полосы пропускания
 

Технология призвана обеспечить наивысшую эффективность мультистандартных усилителей мощности Догерти

Эйндховен, Нидерланды и Балтимор, Мэриленд, 8 июня, 2011 г. – Сегодня компания NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) представила мощные СВЧ LDMOS транзисторы восьмого поколения (Gen8) для беспроводных базовых станций, позволяющие расширить полосу пропускания сигнала до 60 МГц и предоставляющие оптимизированную схему согласования ввода/вывода для создания широкополосных недорогих компактных мультистандартных усилителей мощности Догерти с высокой эффективностью.

В настоящее время компания NXP выпускает опытные образцы транзисторов Gen8 LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor – смещенно-диффузная МОП технология на основе кремния) для частот до 960 МГц с превосходной линейностью, высочайшей надежностью и КПД более 55% для усилителей мощности в GSM-системах с использованием множества несущих. Вторая очередь опытных образцов для диапазонов GSM-WCDMA-LTE (1800, 1900 и 2100 МГц) появится до конца 2011 г.

Поставщики беспроводных инфраструктур испытывают нарастающее давление рынка, которому требуются экономически и энергетически эффективные базовые станции, причем незамедлительно. Это давление ощущается не только в развивающихся странах, но и на более зрелых рынках, к тому же, многочисленность стандартов сотовой связи, частотных полос и требования совместного использования сетей в сельских районах еще больше усложняют ситуацию. Технология Gen8 LDMOS компании NXP призвана решить все эти проблемы и обеспечить создание многополосных и широкополосных усилителей мощности, а также базовых приемопередающих станций (BTS), поддерживающих множество режимов, – с низким потреблением энергии и оптимальными затратами.

Ключевые характеристики

  • Силовые транзисторы Gen8 LDMOS радиочастотного диапазона имеют расширенную полосу пропускания, более высокую мощность и более высокий КПД при меньших размерах и цене.
  • У транзисторов Gen8 по сравнению с предыдущим поколением плотность мощности выше на 15%, а выход мощности – примерно на 5% (в зависимости от приложения).
  • Пиковые уровни мощности выше 500 Вт (P3dB) для ВЧ коррекции теперь достижимы в компактном, недорогом корпусе типоразмера SOT502.
  • Расширенная полоса пропускания видео позволяет задействовать весь выделенный диапазон частот.
  • LDMOS технология компании NXP в мощных СВЧ транзисторах обычно использует напряжения от 28 до 32 В и обеспечивает рекордные рабочие частоты до 3,8 ГГц.

Цитаты:

  • Кристоф Кугге (Christophe Cugge), директор по маркетингу, подразделение усилителей мощности для базовых станций, компания NXP Semiconductors, отмечает: «Растущая популярность приложений с интенсивным использованием полосы пропускания стимулирует постоянное развитие технологий беспроводных базовых станций. С недорогой, высокоэффективной технологией Gen8 LDMOS компании NXP OEM-производители базовых станций смогут создавать мультистандартные, готовые к будущему решения и повышать выход продукции за счет более строгих спецификаций для массового производства. Компания NXP разрабатывает референсные схемы на базе Gen8 LDMOS для ряда устройств, включая асимметричный усилитель и 3-канальный усилитель Догерти.

Наличие:

LDMOS транзисторы Gen8 будут доступны начиная с III квартала 2011 г.

О подразделении NXP HPRF

Компания NXP, поставляющая более 4 млрд СВЧ-устройств ежегодно, является бесспорным лидером отрасли в области высокопроизводительных СВЧ-компонентов (HPRF): от приемников спутниковой связи, базовых станций сотовой связи и широкополосных передатчиков до приложений диапазона ISM, а также аэрокосмических и оборонных приложений. Компания NXP является ведущим поставщиком высокопроизводительных ИС для обработки смешанных (цифро-аналоговых) сигналов и признанным лидером в области последовательных интерфейсов на базе SERDES для высокоскоростных преобразователей. NXP предлагает широкий спектр высокоскоростных преобразователей данных с цифровыми интерфейсами, в том числе CGV, CMOS LVCMOS и LVDS DDR, которые отвечают требованиям стандарта JESD204A. Эти высокоскоростные преобразователи хорошо подходят для применения в беспроводных инфраструктурах, а также в промышленных, научных, медицинских, аэрокосмических и оборонных приложениях.

О компании NXP Semiconductors

NXP Semiconductors поставляет решения на основе высокопроизводительных смешанных цифро-аналоговых (High Performance Mixed Signal) и стандартных полупроводниковых компонентов, использующие лидирующий на рынке опыт разработок компании в области радиочастотных и аналоговых сигналов, технологий энергопотребления и цифровой обработки и производственных процессов. Эти инновационные решения используются в широком диапазоне применений для автомобильной, промышленной и бытовой электроники, систем освещения, медицины, вычислительных систем и средств идентификации. Компания имеет головной офис в Европе и около 29000 сотрудников, работающих в более чем 30 странах мира. Годовой доход NXP в 2009 году составил 3,8 млрд. долларов США. Новости от NXP можно прочитать на www.nxp.com.  


Автор документа: Жанна Свирина , http://www.gaw.ru"
Дата публикации: 17.06.2011
Дата редактирования: 17.06.2011
Кол-во просмотров 1463
 
 Все новости одной лентой