Эти изделия представляют собой наилучшую комбинацию мощности и эффективности среди выпускаемых промышленностью и позволяют достичь КПД суммирования мощности порядка 60%
Компания Cree собирается на международном симпозиуме IEEE International Microwave Symposium 2011 7-9 июня 2011 года в Балтиморе США представить транзисторы повышенной мощности с высокой подвижностью электронов на базе нитрида галлия (GaN HEMT) и специализированную интегральную микросхему усилителя мощности для частотного S-диапазона от 2.7 ГГц до 3.5 ГГц. Эти изделия представляют собой наилучшую комбинацию мощности и эффективности среди выпускаемых промышленностью и позволяют достичь КПД суммирования мощности порядка 60%. Этот показатель позволяет добиться снижения рассеиваемой мощности примерно на 20% по сравнению с существующими конкурирующими решениями.
По мнению специалистов, компания Cree выдвигается на лидирующие позиции среди производителей устройств на базе GaN HEMT для широкого спектра гражданских и военных приложений S-диапазона, в том числе таких, как управление воздушным движением, метеорологические РЛС, военные РЛС.
Управление температурным режимом является ключевым элементом для радиолокационных систем, и устройства на базе GaN HEMT дают возможность получить эффективные решения, для которых характерна низкая рассеиваемая мощность, упрощенная система распределения мощности, компактность и хорошие массогабаритные показатели.
Транзисторы для S-диапазона CGH31240F и CGH35240F имеют выходное сопротивление 50 Ом и обеспечивают выходной сигнал мощностью 240 Вт в диапазоне от 2.7 ГГц до 3.1 ГГц и от 3.1 ГГц до 3.5 ГГц соответственно. При размерах посадочного места (0.9" x 0.68") коэффициент усиления транзисторов составляет 11 дБ. Применение ИС дает возможность увеличить энергоэффективность на 60%. Устройства демонстрируют удивительно низкий уровень пульсаций (порядка 0.2 дБ) в рабочем режиме, что в сочетании с температурными характеристиками структур GaN на SiC позволяет получить характеристики эффективности недостижимые для структур на базе GaAs и Si.
CMPA2735075F - интегральная схема двухкаскадного усилителя повышенной мощности на базе структуры GaN HEMT с габаритами 0.5" x 0.5", которая обеспечивает выходную мощность 75 Вт в диапазоне от 2.7 ГГц до 3.5 ГГц при коэффициенте усиления 20 дБ. Представленная ИС является первым усилителем мощности S-диапазона и обеспечивает КПД суммирования мощности 60% при ширине импульсов 300 мкс и рабочем цикле 20%.
Связанные компоненты
CGH31240F, 07.06.2011240 Вт, 2700-3100 МГц, GaN HEMT транзистор для радиолокационных систем S-диапазона
CGH35240F, 07.06.2011240 Вт, 3100-3500 МГц, GaN HEMT транзистор для радиолокационных систем S-диапазона
CMPA2735075F, 07.06.2011Усилитель мощности 75Вт для частотного S-диапазона от 2.7 ГГц до 3.5 ГГц
|
Автор документа: Варламов
, http://www.rtcs.ru" |
Дата публикации: 07.06.2011 Дата редактирования: 07.06.2011 |
| Кол-во просмотров 2286 | |
 Все новости одной лентой |
