Инженеры в области микроволновой электроники смогли ознакомиться с новыми нитрид-галлиевыми(GaN) микросхемами в ходе проведения симпозиума MTT-S

Желая предоставить инженерам в области микроволновой и радиочастотной электроники достоверную информацию о новейших разработках микроволновых монолитных интегральных схем (ММИС), выполненных по технологии GaN, компания Cree провела демонстрацию новой усилительной и коммутаторной продукции на организованном IEEE международном симпозиуме по микроволновой технике MTT-S (стенд №836). Симпозиум состоялся 25…27 мая 2010 года в конференц-центре г. Анахайм (США). В число продемонстрированной продукции вошли ММИС SPDT-коммутатора (300МГц…3ГГц); ММИС 25-ваттного усилителя мощности (10МГц…6 ГГц); ММИС 75-ваттного усилителя мощности (2.7…3.5 ГГц) и 240-ваттный транзистор (2.9…3.5 ГГц).

"Мы с удовольствием анонсируем нашу новую корпусную продукцию, выпуск которой запланирован на конец года. Последние двенадцать месяцев мы активно работали над расширением наших натрид-галлиевых ММИС и линейки дискретной продукции большой мощности. Теперь ассортимент этой продукции пополнился более мощными и более эффективными усилителями, несколькими нитрид-галиевыми коммутаторами на широкий динамический диапазон и малошумящим усилителем. Мы верим, что вся эта продукция поможет расширить преимущества нитрид-галлиевой технологии в коммерческих и военных системах", - объяснил директор по РЧ и микроволновой продукции компании Cree Джим Миллиган (Jim Milligan).

"Демонстрация данной продукции позволит наглядно показать, как воспользоваться преимуществами нитрид-галлиевых приборов по отношению к традиционным арсенид-галлиевым приборам или кремниевым LDMOS решениям с целью повышения общесистемного уровня мощности, расширения полосы пропускания и динамического диапазона. Здесь также будет возможность напрямую пообщаться с нашими инженерами-разработчиками и задать вопросы относительно особенностей реализации и преимуществ продукции нового поколения", - добавил Миллиган.

На симпозиуме MTT-S была продемонстрирована следующая нитрид-галлииевая продукция:

ММИС SPDT-коммутатора (0.3…3 ГГц): CMSA30025S - первая нитрид-галлиевая ММИС SPDT-коммутатора, предназначенная для работы в диапазоне частот 300МГц…3ГГц с вносимыми потерями менее 0.7 дБ, изоляцией 30 дБ и быстродействием коммутации менее 20 нс. Данный ключ способен оперировать с 25-ваттной РЧ нагрузкой (незатухающие колебания) при уровне компрессии всего лишь 0.1 дБ и выходной точкой пересечения более 60 дБм. На демонстрации была показана версия коммутатора в корпусе QFN, установленная в специальную испытательную конструкцию с драйвером, который находится в условиях "горячей" коммутации. Инженеры смогли убедиться, что в отличие от обычных коммутаторов на основе PIN-диода, новая ММИС коммутатора имеет малые размеры, малую потребляемую мощность и требует дополнения минимальным числом дополнительных компонентов.

ММИС 25-ваттного усилителя мощности (10МГц…6ГГц): CMPA0060025F - размещенная в корпусе нитрид-галлиевая ММИС усилителя мощности, предназначенная для работы в диапазоне частот от 10МГц до 6ГГц с типичным уровнем мощности насыщенного выхода свыше 25 Вт и коэффициентом усиления мощности 12 дБ. Данный распределенный усилитель обладает типичной РЧ эффективностью 40% и размещен в корпусе с занимаемой площадью 1.25см х1.25см. Возможности усилителя были продемонстрированы в специальной оценочной конструкции с возможностями выполнения измерений посетителями.

ММИС 75-ваттного усилителя мощности (2.7…3.5 ГГц): CMPA2735075F - первый представитель семейства корпусных радарноцентрических ММИС усилителей мощности. Усилитель демонстрировался в оценочной конструкции, где он показал возможность развития импульсной РЧ мощности 75 Вт (типичная длительность импульса 300 мкс, заполнение импульсов 10%) при коэффициенте усиления мощности 20 дБ в пределах диапазона частот 2.7…3.5 ГГц. Эта ММИС с 50-омными согласованными входами/выходами достигает КПД суммирования мощности 55% (тип. значение). Микросхема размещена в миниатюрном корпусе (занимаемая площадь 1.25см х1.25см) и демонстрирует отличные падающие амплитудные и фазовые характеристики.

240-ваттный транзистор (2.9…3.5ГГц): CGH35240F - полностью внутренне согласованный 50-омный силовой транзистор, который с целью увеличения мощности, улучшения тепловых характеристик и надежности, выполнен по разработанной компанией Cree технологии "GaN on SiC". Транзистор размещен в корпусе с размерами 1.75мм х 2.4мм и способен развить мощность на насыщенном выходе свыше 220Вт в диапазоне частот 2.9…3.5 ГГц, работая с коэффициентом усиления мощности свыше 11 дБ и с КПД суммирования мощности 60% (типичное значение). Транзистор демонстрировался, будучи установленным в специальную оценочную конструкцию радара с возможностями выполнения измерений посетителями.

Автор документа: Варламов , http://www.rtcs.ru"	Дата публикации: 03.08.2010 Дата редактирования: 03.08.2010
Кол-во просмотров 1959
Все новости одной лентой