Компании Intel и STMicroelectionics отправили партнерам прототипы новой памяти PRAM.
Компании Intel и STMicroelectionics отправили партнерам прототипы новой памяти PRAM. Устройство под кодовым названием Alverstone обеспечивает большую скорость чтения и записи данных, чем обычная флеш-память при пониженном энергопотреблении и потенциально меньшей стоимости за мегабайт.
Кроме того, число циклов чтения-записи, которая может выдержать PRAM, в 1000 раз превышает показатели флеш-памяти, отмечает The Inquirer. Разработчики называют технологию, на которой построен Alverstone, самым значительным прорывом в отрасли за 40 лет.
Новый вид памяти разрабатывался двумя компаниями с 2003 года. В 2004 году разработчики представили восьмимегабитные массивы памяти с размером элемента, не превышающим 180 нанометров.
В 2006 году Alverstone перешел на 90-нанометровый технологический процесс, а объем памяти устройства достиг 128 мегабит. Именно этот вариант Alverstone и был разослан партнерам.
В 2007 году обзий объем рынка памяти составил около 61 миллиарда долларов.
Автор документа: Жанна Свирина
, http://www.gaw.ru" |
Дата публикации: 08.02.2008 Дата редактирования: 08.02.2008 |
Кол-во просмотров 1914 | |
Все новости одной лентой |