Новые серии MOSFET транзисторов SuperMESH/MDMesh

Особенности транзисторов серии SuperMESH:

• Транзисторы MOSFET серии SuperMESH отличаются от предыдущего поколения транзисторов более низким сопротивлением сток-исток (RDSon) в открытом состоянии. За счет этого пользователь может получить дополнительную экономию от использования меньшего радиатора, уменьшения места на печатной плате, уменьшения массы и габаритов изделия.
• Серия SuperMESH имеет встроенные встречные стабилитроны между выводами затвор - исток, что защищает переход от электростатических разрядов и выбросов напряжения во время переходных процессов. Встроенные стабилитроны устраняют необходимость установки внешних защитных компонентов.
• Уменьшено пороговое напряжение затвор-исток c 2В до 1.5В, что позволяет упростить цепь управления.

Особенности транзисторов серии MDMesh:

• В технологии MDMesh применена новая структура затвора, затвор выполнен в виде вертикальных полос. За счет использования новой структуры дополнительно снизилось сопротивление канала в открытом состоянии. Технология MDMesh позволяет достичь рекордно низкого сопротивления канала в открытом состоянии для высоковольтных транзисторов в стандартных корпусах.
• Снижена входная емкость.
• Улучшены динамические характеристики.
• Встроенные быстро восстанавливающиеся диоды.

Области применения транзисторов серий SuperMESH и MDMesh:

• Источники бесперебойного питания;
• Адаптеры;
• Зарядные устройства;
• Корректоры коэффициента мощности;
• Электронные балласты ламп и ламп вспышки;
• Источники питания для ноутбуков, мониторов и телевизоров;
• Телекоммуникационное оборудование;
• Преобразователи солнечной энергии.

Автор документа: Промэлектроника , http://www.promelec.ru"	Дата публикации: 10.06.2009 Дата редактирования: 10.06.2009
Кол-во просмотров 2085
Все новости одной лентой