Новая линейка транзисторов HEXFET® Power MOSFETs
Компания International Rectifier - законодатель мод в компонентах для силовой электроники - представляет новейшую линейку HEXFET® Power MOSFETs, которые характеризуются повышенной токовой нагрузочной способностью корпуса до 195 A, что на 60% выше традиционных показателей. Это достигается как за счет новейших технологий производства кристаллов, так и изменений в разварке выводов и корпусировке.
Новые транзисторы обеспечивают пониженное значение RDS(on) по сравнению со своими предшественниками в аналогичных стандартных корпусах TO-220, D2PAK и DPAK, а нагрузочная способность нового 7-выводного корпуса D2PAK достигает и вовсе невероятного значения в 240A !
Основные технические характеристики новинок:
Наименование | Канал | Vdss (В) | RDS(on) (мОм) | Id @ 25°C (A) | Qg (нКл) | Корпус |
IRFB3006PBF | N | 60 | 2.5 | 195 | 200 | TO-220 |
IRFS3006PBF | N | 60 | 2.5 | 195 | 200 | D2PAK |
IRFS3006-7PPBF | N | 60 | 2.1 | 240 | 200 | D2PAK-7 |
IRFS3107PBF | N | 75 | 3.0 | 195 | 160 | D2PAK |
IRFS3107-7PPBF | N | 75 | 2.6 | 240 | 160 | D2PAK-7 |
IRFS4010PBF | N | 100 | 4.7 | 180 | 143 | D2PAK |
IRFS4010-7PPBF | N | 100 | 4.0 | 190 | 150 | D2PAK-7 |
IRFB4115PBF | N | 150 | 11 | 104 | 77 | TO-220 |
IRFS4115PBF | N | 150 | 12.1 | 99 | 77 | D2PAK |
IRFS4115-7PPBF | N | 150 | 11.8 | 105 | 73 | D2PAK-7 |
IRFB4127PBF | N | 200 | 20 | 76 | 100 | TO-220 |
IRFS4127PBF | N | 200 | 22 | 72 | 100 | D2PAK |
Связанные компоненты
IRFB3006PbF, 25.12.200860V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
IRFS3006PbF, 25.12.2008
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRFS3006-7PPbF, 25.12.2008
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Pin package
IRFS3107PbF, 25.12.2008
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRFS3107-7PPbF, 25.12.2008
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Pin package
IRFS4010PbF, 25.12.2008
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRFS4010-7PPbF, 25.12.2008
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-pin package
IRFB4115PbF, 25.12.2008
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
IRFS4115PbF, 25.12.2008
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRFS4115-7PPbF, 25.12.2008
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package
IRFB4127PbF, 25.12.2008
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
IRFS4127PbF, 25.12.2008
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Switch in a D2-Pak package
Автор документа: Никита Сергеев
, http://www.compel.ru" |
Дата публикации: 25.12.2008 Дата редактирования: 25.12.2008 |
Кол-во просмотров 1629 | |
Все новости одной лентой |