Новое семейство МОП-транзисторов корпорации International Rectifier
 

Новые MOSFET с ультранизким сопротивлением канала снижают цену системы в промышленных приложениях

Корпорация International Rectifier анонсирована новое семейство силовых N-канальных МОП-транзисторов Тrench HEXFET с эталонными показателями сопротивления открытого канала. Новые транзисторы в корпусе ТО-247 предназначены для применения в мощных синхронных выпрямителях, активных ORing узлах, электроприводах постоянного тока, DC/AC-инверторах и электроинструменте. Они имеют сопротивление открытого канала вдвое ниже, чем у лучших аналогов на рынке, и исключают необходимость применения больших и дорогостоящих корпусов типа ISOTOP и MiniBlock, обычно используемых в промышленности для обеспечения высокой мощности теплоотвода. Кроме того, вследствие низкого Rds(on) снижаются потери проводимости и повышается КПД.

Новое семейство МОП-транзисторов выпускается на напряжение от 40 до 200В. Они отвечают требованиям промышленных стандартов и устойчивости к влажности по уровню MSL1. Все новые транзисторы выпускаются в бессвинцовом варианте. Параметры транзисторов приведены в таблице.

Типономинал Канал Vdss (B) Rds(on) (мОм) Qg (нК) Id @ 25C (A) Корпус
IRFP4004PBF N 40 1.7 220 195* TO-247AC
IRFP4368PBF N 75 1.85 380 195* TO-247AC
IRFP4468PBF N 100 2.6 360 195* TO-247AC
IRFP4568PBF N 150 5.9 151 171 TO-247AC
IRFP4668PBF N 200 9.7 161 130 TO-247AC

* Ограничено корпусом .

Связанные компоненты

IRFP4004PbF, 21.11.2008
HEXFET Power MOSFET

IRFP4368PbF, 21.11.2008
HEXFET Power MOSFET

IRFP4468PbF, 21.11.2008
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC

IRFP4668PbF, 21.11.2008
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC

IRFP4568PbF, 21.11.2008
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC

 
Автор документа: Никита Сергеев , http://www.compel.ru"
Дата публикации: 21.11.2008
Дата редактирования: 21.11.2008
Кол-во просмотров 1130
 
 Все новости одной лентой