Новые MOSFET с ультранизким сопротивлением канала снижают цену системы в промышленных приложениях
Корпорация International Rectifier анонсирована новое семейство силовых N-канальных МОП-транзисторов Тrench HEXFET с эталонными показателями сопротивления открытого канала. Новые транзисторы в корпусе ТО-247 предназначены для применения в мощных синхронных выпрямителях, активных ORing узлах, электроприводах постоянного тока, DC/AC-инверторах и электроинструменте. Они имеют сопротивление открытого канала вдвое ниже, чем у лучших аналогов на рынке, и исключают необходимость применения больших и дорогостоящих корпусов типа ISOTOP и MiniBlock, обычно используемых в промышленности для обеспечения высокой мощности теплоотвода. Кроме того, вследствие низкого Rds(on) снижаются потери проводимости и повышается КПД.
Новое семейство МОП-транзисторов выпускается на напряжение от 40 до 200В. Они отвечают требованиям промышленных стандартов и устойчивости к влажности по уровню MSL1. Все новые транзисторы выпускаются в бессвинцовом варианте. Параметры транзисторов приведены в таблице.
Типономинал | Канал | Vdss (B) | Rds(on) (мОм) | Qg (нК) | Id @ 25C (A) | Корпус |
IRFP4004PBF | N | 40 | 1.7 | 220 | 195* | TO-247AC |
IRFP4368PBF | N | 75 | 1.85 | 380 | 195* | TO-247AC |
IRFP4468PBF | N | 100 | 2.6 | 360 | 195* | TO-247AC |
IRFP4568PBF | N | 150 | 5.9 | 151 | 171 | TO-247AC |
IRFP4668PBF | N | 200 | 9.7 | 161 | 130 | TO-247AC |
* Ограничено корпусом .
Связанные компоненты
IRFP4004PbF, 21.11.2008HEXFET Power MOSFET
IRFP4368PbF, 21.11.2008
HEXFET Power MOSFET
IRFP4468PbF, 21.11.2008
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC
IRFP4668PbF, 21.11.2008
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC
IRFP4568PbF, 21.11.2008
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC
Автор документа: Никита Сергеев
, http://www.compel.ru" |
Дата публикации: 21.11.2008 Дата редактирования: 21.11.2008 |
Кол-во просмотров 1130 | |
Все новости одной лентой |