Новые МОП-транзисторы для DC-DC-конверторов
Корпорация International Rectifier объявила о начале серийного производства 25 В МОП-транзисторов в корпусах DirectFET® для применения в синхронных выпрямителях POL конверторов серверов, десктопов и ноутбуков. Объединение новейшей технологии кристалла и технологии корпусирования DirectFET обеспечило максимальную плотность энергии при высоте корпуса менее 0,7мм и занимаемой площади менее чем у корпуса SO-8. Новые транзисторы IRF6710S2, IRF6795M и IRF6797M характеризуются исключительно низким уровнем сопротивления открытого канала Rds(on), заряда затвора Qg и заряда затвор-сток Qgd для достижения высокого КПД и тепловых характеристик а также обеспечения возможности работы фазы многофазных конверторов на токах не менее 25 А.
Транзистор IRF6710S2 идеально подходит на роль управляющего ключа синхронного выпрямителя благодаря как ультранизкому заряду затвора 8.8нК и заряду Миллера всего 3 нК для снижения потерь переключения так и низкому сопротивлению открытого канала (4.6мОм при 10В на затворе и 9мОм при 4.5В). Он выпускается в малогабаритном корпусе типа S1. Транзисторы IRF6795M и IRF6797M с ультранизким Rds(on) (1.1 мОм/1.8 мОм при 10В/4.5 В и 1.4 мОм/2.4 мОм) имеют минимальные потери проводимости в то время как интегрированные в них диоды Шоттки снижают потери прямой проводимости и обратного восстановления диода. В силу этого они наилучшим образом справляются с ролью ключа синхронного выпрямления. Эти транзисторы производятся в корпусе типа МХ.
Связанные компоненты
IRF6710S2, 13.11.2008DirectFET Power MOSFET
IRF6795M, 13.11.2008HEXFET Power MOSFET с диодом Шоттки
IRF6797M, 13.11.2008HEXFET Power MOSFET с диодом Шоттки
|
Автор документа: Никита Сергеев
, http://www.compel.ru" |
Дата публикации: 13.11.2008 Дата редактирования: 13.11.2008 |
| Кол-во просмотров 1003 | |
 Все новости одной лентой |
