Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| R1LP0408C-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 1.5 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 50 | 120 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IDT71256L | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 20 | 135 | 0.6 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 5.585 |
PDIP-28 |
| DS3065WP | Энергонезависимая память SRAM объемом 8МБ с питанием 3.3В и встроенными часами реального времени, позволяет организовать законченный блок ОЗУ 1Mx8 |
|
Maxim Integrated |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 100 | 50 | - | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV10248ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 10 | 140 | 700 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| CY62158EV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 45 | 1.8 | 2 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| LP62S2048A-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 55 | 3 | 0.5 | 2.7 ... 3.6 | -25 ... 85 |
|
| AS7C32096A | Асинхронная статическая память 256Кх8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0408D-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 70 | 10 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64C1024AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 35 | 40 | 450 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IDT71256S | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 20 | 150 | 20 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
PDIP-28 |
| IS61WV10248BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 8 | 100 | 200 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62158E | Статическая память объемом 8Mb (1M x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 45 | 1.8 | 2 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV1601 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0408D-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 10 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61C1024AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 35 | 40 | 450 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV10248ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 20 | 100 | 200 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| W24L011A | Высокоскоростная ИС статической памяти 128К х 8 |
|
Winbond |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 10 | 130 | 15 | 2.7 ... 3.3 | 0 ... 70 |
|
| 1645РУ2 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 64 Кбит (8К x 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов |
|
Миландр |
High Speed SRAM |
8 | 8 | 55 | 160 | 3000 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
4119.28-6 |
| CY62158DV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 45 | 1.5 | 2 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
