Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| MR0A08BC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| MR0A08BM | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| MR0A16A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
64 | 16 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| MR0A16AV | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
64 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| MR0A16AС | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
64 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| MR1A16A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| MR1A16AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| MR1A16AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| MR1A16AV | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| MR256A08B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| MR256A08BC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| MR256A08BM | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| MR2A08A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| MR2A08AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| MR2A08AM | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| MR2A16A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 256К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| MR2A16AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 256К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| MR2A16AV | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 256К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| MR4A08B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 2M х 8 бит | - | Everspin Technologies |
MRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | - |
|
| MR4A16B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 1M х 16 бит | - | Everspin Technologies |
MRAM |
1024 | 16 | 3 ... 3.6 | - |
|
