Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
KFH1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 25 -30 ... 85 FBGA-63
NAND01GW3B2B 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
1 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 TSOPI-48
KFG2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
K9F1G08U0B 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
1 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 25 -40 ... 85 FBGA-63
NAND01GR3B2B 1Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
1 8 2048 128 50 - - 1.7 ... 1.95 15 -40 ... 85 FBGA-63
S30MS04GR 4Гбит (256М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
4 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
KFK8G16Q2M 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
8 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
K9F5608U0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
WSOPI-48
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 25 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS04GR 4Гбит (512М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
4 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
KFN4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
K9F5608D0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.4 ... 2.9 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
KFG1216D2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.4 ... 2.9 25 -30 ... 85 FBGA-63
NAND01GW4A2B 1Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
1 16 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 Wafer
S30MS02GR 2Гбит (128М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
2 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
KFM2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
K9F5608R0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
KFG1216Q2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 20 -30 ... 85 FBGA-63
NAND01GW3A2B 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
1 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 Wafer




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019