Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
NAND02GW3B2D 2Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
2 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
NAND02GR3B2D 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
2 8 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
KFG2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
KFM2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
NAND02GW3B2C 2Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
2 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 TSOPI-48
K9F2G08U0A 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
2 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
NAND02GR3B2C 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
2 8 2048 128 50 - - 1.7 ... 1.95 15 -40 ... 85 FBGA-63
K9F2G08R0A 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
2 8 2048 128 25 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
KFG2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS02GR 2Гбит (128М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
2 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
KFM2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS02GR 2Гбит (256М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
2 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
MT29F2G08AAC 2Гбит (256М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash Micron NAND Flash
2 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
NAND04GW3C2B 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
4 8 2048 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFW4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
HY27UF084G2M 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
4 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
ULGA-52
MT29F4G08AAA 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
4 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 35 0 ... 70 TSOPI-48
TC58CYG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
4 8 4096 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
HY27UF164G2B 4 Гбит (256М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
4 16 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
TC58CVG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
4 8 4096 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019