Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
NAND512W3A2C 512Мбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.512 8 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
VFBGA-55
HY27US16281A 128 Мбит (8М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.128 16 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 0 ... 70 TSOPI-48
USOPI-48
MT29F2G08AAC 2Гбит (256М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash Micron NAND Flash
2 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
NAND16GW3C2A 16Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
16 8 4096 512 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
HY27UK08BGFM 32 Гбит (4Г х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
32 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 35 0 ... 70 TSOPI-48
KFG1216U2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
TC58CVG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
4 8 4096 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CVG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CVG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
1 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
K9G4G08B0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 8 2048 256 30 - - 2.5 ... 2.9 30 -40 ... 85 TSOPI-48
K9F8G08B0M 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 8 4096 256 25 - - 2.5 ... 2.9 30 -40 ... 85 TSOPI-48
K9F5608D0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.4 ... 2.9 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
KFG1216D2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.4 ... 2.9 25 -30 ... 85 FBGA-63
K9F1208B0C 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.512 8 512 16 42 - - 2.5 ... 2.9 20 -40 ... 85 TSOPI-48
KFG1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
S30MS512R 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
0.512 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
KFM1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS01GP 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
1 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
KFW4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
MT29F1G16ABB 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
1 16 2048 128 50 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019