Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
HY27US08561A 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
K9F1208U0C 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.512 8 512 16 42 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
NAND512W4A2C 512Мбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.512 16 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
VFBGA-55
HY27SS16561A 256 Мбит (16М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.256 16 512 16 60 - - 1.7 ... 1.95 20 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
K9F1208B0C 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.512 8 512 16 42 - - 2.5 ... 2.9 20 -40 ... 85 TSOPI-48
NAND512W3A2C 512Мбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.512 8 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
VFBGA-55
HY27US16281A 128 Мбит (8М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.128 16 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 0 ... 70 TSOPI-48
USOPI-48
K9F1208R0C 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.512 8 512 16 42 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
HY27SS08561A 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.256 8 512 16 60 - - 1.7 ... 1.95 20 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
KFH1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 25 -30 ... 85 FBGA-63
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 25 -40 ... 85 FBGA-63
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 25 -30 ... 85 FBGA-63
KFG1216D2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.4 ... 2.9 25 -30 ... 85 FBGA-63
NAND04GW3C2B 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
4 8 2048 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFG1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
NAND64GW3D4A 64Гбит (4 кристалла по 16Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
64 8 4096 512 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFM1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
NAND32GW3D4A 32Гбит (2 кристалла по 16Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
32 8 4096 512 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFW4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
HY27UG088GDM 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
8 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 ULGA-52
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019