Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
MT29H32G08 32Гбит (4096М х 8 бит) High Speed NAND Flash Micron NAND Flash
32 8 4096 512 6 - - 2.7 ... 3.6 - 0 ... 70 TBGA-100
HY27UF162G2B 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 16 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
K9G4G08U0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
MT29H16G08 16Гбит (2048М х 8 бит) High Speed NAND Flash Micron NAND Flash
16 8 4096 512 6 - - 2.7 ... 3.6 - 0 ... 70 VBGA-100
NAND04GW3B2D 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
4 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
HY27UF082G2B 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
ULGA-52
MT29H8G08 8Гбит (1024М х 8 бит) High Speed NAND Flash Micron NAND Flash
8 8 4096 512 6 - - 2.7 ... 3.6 - 0 ... 70 VBGA-100
S34SL04G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
4 64 2048 128 30 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
HY27UF162G2A 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 16 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
K9NBG08U5A 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
32 8 2048 128 50 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
NAND08GW3B2A 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
S34SL02G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
2 64 2048 128 30 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
HY27UF082G2A 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
ULGA-52
K9WAG08U1A 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TLGA-52
TSOPI-48
NAND04GW3B2B 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
4 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
S34SL01G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
1 64 2048 128 25 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
K9K8G08U0A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
NAND02GW4B2D 2Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
2 16 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
TC58NVG1S3CBAJX 256М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
2 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
K9KAG08U1M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 4096 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 ULGA-52
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019