Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
K9F4G08U0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
K9F5608D0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.4 ... 2.9 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
K9F5608R0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
K9F5608U0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
WSOPI-48
K9F8G08B0M 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 8 4096 256 25 - - 2.5 ... 2.9 30 -40 ... 85 TSOPI-48
K9F8G08U0M 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 8 4096 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
K9G4G08B0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 8 2048 256 30 - - 2.5 ... 2.9 30 -40 ... 85 TSOPI-48
K9G4G08U0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
K9HBG08U1M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TLGA-52
TSOPI-48
K9K8G08U0A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
K9K8G08U1A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 ULGA-52
K9KAG08U1M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 4096 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 ULGA-52
K9L8G08U1A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 ULGA-52
K9LAG08U0M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
K9MCG08U5M 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
32 8 2048 256 50 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
K9NBG08U5A 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
32 8 2048 128 50 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
K9WAG08U1A 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TLGA-52
TSOPI-48
KFG1216D2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.4 ... 2.9 25 -30 ... 85 FBGA-63
KFG1216Q2A 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
KFG1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019