Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
S30ML512P 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
0.512 16 512 512 50 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-55
S30ML512P 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
0.512 8 512 512 30 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-55
TC58NVM9S3CBAJW 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
0.512 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
TC58NVM9S3CTA00 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
0.512 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
TC58DVM92A3BAJW 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
0.512 8 528 16 50 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
HY27US16122B 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.512 16 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
TC58DVM92A3TA00 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
0.512 8 528 16 50 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
HY27US08122B 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.512 8 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 25 -40 ... 85 FBGA-63
HY27US16121B 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.512 16 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 25 -30 ... 85 FBGA-63
HY27US08121B 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.512 8 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
KFG1216D2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.4 ... 2.9 25 -30 ... 85 FBGA-63
KFG1216Q2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 20 -30 ... 85 FBGA-63
K9F1208U0C 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.512 8 512 16 42 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
KFG1216U2A 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
NAND512W4A2C 512Мбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.512 16 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
VFBGA-55
K9F1208B0C 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.512 8 512 16 42 - - 2.5 ... 2.9 20 -40 ... 85 TSOPI-48
KFG1216Q2A 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
NAND512W3A2C 512Мбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.512 8 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
VFBGA-55
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019