Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
NAND04GW3C2B 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
4 8 2048 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
NAND16GW3C4B 16Гбит (2 кристалла по 8Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
16 8 2048 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
NAND08GW3C2B 8Гбит 3-вольтовая, 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 84 TSOPI-48
ULGA-52
K9MCG08U5M 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
32 8 2048 256 50 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
K9HBG08U1M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TLGA-52
TSOPI-48
K9LAG08U0M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
K9L8G08U1A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 ULGA-52
K9G4G08U0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
K9G4G08B0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 8 2048 256 30 - - 2.5 ... 2.9 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFM4GH6Q4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 16 4096 256 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 50 -30 ... 85 FBGA-63
K9KAG08U1M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 4096 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 ULGA-52
K9F8G08U0M 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 8 4096 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
K9F8G08B0M 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 8 4096 256 25 - - 2.5 ... 2.9 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFG4GH6U4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 16 4096 256 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 55 -40 ... 85 FBGA-63
KFG4GH6Q4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 16 4096 256 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 50 -30 ... 85 FBGA-63
TC58NVG1S3CBAJX 256М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
2 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
TC58NVG1S3CTA00 256М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
2 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
TC58NVG0S3CBAJ5 128М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
1 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
TC58NVG0S3CTA00 128М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
1 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
TC58NVM9S3CBAJW 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
0.512 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019