Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
NAND16GW3C2A 16Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
16 8 4096 512 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
HY27UK08BGFM 32 Гбит (4Г х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
32 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 35 0 ... 70 TSOPI-48
KFG1216U2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
TC58CVG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
4 8 4096 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CVG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CVG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
1 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019