Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
HY27US08281A 128 Мбит (16М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.128 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 0 ... 70 TSOPI-48
USOPI-48
NAND128W3A 128Мбит 3-вольтовая NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.128 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 TSOPI-48
S30ML128P 128Мбит (8М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
0.128 16 512 512 50 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-55
S30ML128P 128Мбит (16М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
0.128 8 512 512 30 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-55
HY27US16281A 128 Мбит (8М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.128 16 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 0 ... 70 TSOPI-48
USOPI-48
NAND256W3A 256Мбит 3-вольтовая NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-55
S30ML256P 256Мбит (16М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
0.256 16 512 512 50 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-55
S30ML256P 256Мбит (32М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
0.256 8 512 512 30 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-55
K9F5608U0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
WSOPI-48
K9F5608D0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.4 ... 2.9 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
HY27US16561A 256 Мбит (16М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.256 16 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
K9F5608R0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
HY27US08561A 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
HY27SS16561A 256 Мбит (16М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.256 16 512 16 60 - - 1.7 ... 1.95 20 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
HY27SS08561A 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.256 8 512 16 60 - - 1.7 ... 1.95 20 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
KFG1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
S30MS512R 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
0.512 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
KFM1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS512P 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
0.512 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
S30MS512P 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
0.512 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019