Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
NAND512W3A2C | 512Мбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
HY27US16281A | 128 Мбит (8М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
0.128 | 16 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 USOPI-48 |
|
MT29F2G08AAC | 2Гбит (256М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
NAND16GW3C2A | 16Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
16 | 8 | 4096 | 512 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
HY27UK08BGFM | 32 Гбит (4Г х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
32 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
KFG1216U2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 FBGA-67 |
|
TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CVG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CVG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
K9G4G08B0A | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.5 ... 2.9 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
K9F8G08B0M | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 8 | 4096 | 256 | 25 | - | - | 2.5 ... 2.9 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
K9F5608D0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.4 ... 2.9 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
KFG1216D2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 2.4 ... 2.9 | 25 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9F1208B0C | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 42 | - | - | 2.5 ... 2.9 | 20 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFG1216Q2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 FBGA-67 |
|
S30MS512R | 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFM1216Q2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
S30MS01GP | 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P | Spansion |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
FBGA-137 TSOPI-48 |
|
KFW4G16Q2A | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
4 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
MT29F1G16ABB | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 50 | - | - | 1.65 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |