Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
4 | 64 | 2048 | 128 | 30 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
S34SL01G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
1 | 64 | 2048 | 128 | 25 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
S34SL02G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
2 | 64 | 2048 | 128 | 30 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
S30MS01GP | 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P | Spansion |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
FBGA-137 TSOPI-48 |
|
S30MS01GP | 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P | Spansion |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
FBGA-137 TSOPI-48 |
|
S30MS512P | 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P | Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
FBGA-137 TSOPI-48 |
|
S30MS512P | 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P | Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
FBGA-137 TSOPI-48 |
|
KFH8GH6U4M | 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 16 | 4096 | 512 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 55 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFK8G16Q2M | 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFM1216Q2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
HY27UF081G2A | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
|
MT29F1G16ABB | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 50 | - | - | 1.65 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFW4G16Q2M | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
4 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND02GR3B2D | 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 45 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1216Q2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 20 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
HY27US08121B | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
|
KFM1G16Q2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1G16Q2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
TC58NVM9S3CBAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 2112 | 132 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9F5608U0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 WSOPI-48 |