Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
TC58DVG02A3TA00 128М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
1 8 528 16 50 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
HY27US16122B 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.512 16 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
NAND01GW3B2B 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
1 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 TSOPI-48
TC58DVM92A3TA00 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
0.512 8 528 16 50 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
HY27US08122B 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.512 8 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
K9F1G08U0B 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
1 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 25 -40 ... 85 FBGA-63
HY27US16121B 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.512 16 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
K9F5608U0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
WSOPI-48
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 25 -30 ... 85 FBGA-63
HY27US08121B 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.512 8 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
NAND01GW4A2B 1Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
1 16 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 Wafer
HY27US16561A 256 Мбит (16М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.256 16 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
NAND01GW3A2B 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
1 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 Wafer
HY27US08561A 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
MT29F8G08FAC 8Гбит (1024М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash Micron NAND Flash
8 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
K9F1208U0C 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.512 8 512 16 42 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
KFG1216U2A 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
NAND512W4A2C 512Мбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.512 16 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
VFBGA-55
MT29F4G08BAC 4Гбит (512М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash Micron NAND Flash
4 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019