Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
MT29F1G16ABB 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
1 16 2048 128 50 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
KFW4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
KFM1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30ML512P 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
0.512 16 512 512 50 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-55
KFW4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
HY27US16121B 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.512 16 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 25 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS01GP 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
1 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
KFM1G16Q2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
HY27UF161G2A 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
1 16 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
NAND02GR4B2D 2Гбит 1.8-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
2 16 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
KFWAGH6U4M 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 16 4096 512 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 55 -40 ... 85 FBGA-63
KFK8G16Q2M 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
8 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS04GR 4Гбит (256М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
4 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
S34SL01G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
1 64 2048 128 25 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
S34SL02G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
2 64 2048 128 30 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
S34SL04G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
4 64 2048 128 30 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
HY27US08281A 128 Мбит (16М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.128 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 0 ... 70 TSOPI-48
USOPI-48
NAND256W3A 256Мбит 3-вольтовая NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-55
NAND08GW3B4C 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 ULGA-52
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019