Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
S30ML512P 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
0.512 8 512 512 30 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-55
NAND08GW3B2C 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
TC58CVG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
KFN2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
K9L8G08U1A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 ULGA-52
NAND08GR3B2C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 -40 ... 85 ULGA-52
TC58CYG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
1 8 2048 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
K9G4G08U0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
NAND04GW3B2D 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
4 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
TC58CVG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
1 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
KFM1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
K9G4G08B0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 8 2048 256 30 - - 2.5 ... 2.9 30 -40 ... 85 TSOPI-48
NAND04GR3B2D 4Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
4 8 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 -40 ... 85 ULGA-52
S34SL04G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
4 64 2048 128 30 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
KFN2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
K9NBG08U5A 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
32 8 2048 128 50 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
KFKAGH6Q4M 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 16 4096 512 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 50 -30 ... 85 FBGA-63
NAND08GW3B2A 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
S34SL02G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
2 64 2048 128 30 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
KFM1G16Q2A 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019