Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
TC58CYG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
1 8 2048 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
NAND02GR3B2D 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
2 8 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
K9F5608R0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
MT29F1G08ABB 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
1 8 2048 128 50 - - 1.65 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
NAND08GW3B2C 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
S30ML512P 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
0.512 8 512 512 30 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-55
K9F8G08U0M 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
8 8 4096 256 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
TC58NVG0S3CBAJ5 128М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
1 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
HY27US08121B 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.512 8 512 16 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
HY27UH08AG5B 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
16 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 40 0 ... 70 TSOPI-48
NAND32GW3D4A 32Гбит (2 кристалла по 16Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
32 8 4096 512 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
S30MS01GP 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
1 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
K9LAG08U0M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TSOPI-48
TC58CVG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
HY27UF081G2A 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
1 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
NAND02GW3B2D 2Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
2 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
K9F5608D0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.4 ... 2.9 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
S30MS04GR 4Гбит (512М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
4 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
HY27UF084G2B 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
4 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
NAND08GR3B4C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 -40 ... 85 ULGA-52




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019