Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
HY27UF084G2M 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
4 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
ULGA-52
KFM1G16Q2B 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
MT29F4G08AAA 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
4 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 35 0 ... 70 TSOPI-48
NAND16GW3B4D 16Гбит (4 кристалла по 4Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
16 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
HY27UF164G2B 4 Гбит (256М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
4 16 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
KFG1G16Q2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
NAND08GW3B4C 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 ULGA-52
KFM1G16Q2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
NAND08GR3B4C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 -40 ... 85 ULGA-52
HY27UF084G2B 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
4 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
KFG1G16U2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 FBGA-63
NAND08GW3B2C 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
KFN2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
NAND08GR3B2C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
8 8 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 -40 ... 85 ULGA-52
HY27UF162G2B 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 16 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
NAND04GW3B2D 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
4 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
HY27UF082G2B 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
ULGA-52
KFM1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
NAND04GR3B2D 4Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
4 8 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 -40 ... 85 ULGA-52
S34SL04G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
4 64 2048 128 30 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019