Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
S30MS04GR 4Гбит (512М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
4 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
KFN4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
KFG1216D2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.4 ... 2.9 25 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS02GR 2Гбит (128М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
2 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
KFM2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
KFG1216Q2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 20 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS02GR 2Гбит (256М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
2 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
MT29F8G08FAC 8Гбит (1024М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash Micron NAND Flash
8 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
KFG1216U2A 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
MT29F4G08BAC 4Гбит (512М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash Micron NAND Flash
4 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
KFG1216Q2A 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS01GR 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
1 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
MT29F2G08AAC 2Гбит (256М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash Micron NAND Flash
2 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFM1216Q2A 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS01GR 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
1 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
HY27UK08BGFM 32 Гбит (4Г х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
32 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 35 0 ... 70 TSOPI-48
KFG1216U2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
S30MS512R 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
0.512 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
TC58NVG1S3CBAJX 256М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
2 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
TC58NVG1S3CTA00 256М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
2 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019