Компоненты группы NAND Flash
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| NAND16GW3D2A | 16Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
16 | 8 | 4096 | 512 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| HY27UF082G2A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
| TC58DVG02A3TA00 | 128М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 528 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| NAND02GW4B2D | 2Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
| NAND04GW3B2B | 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| HY27US16122B | 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 512 | 16 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| K9LAG08U0M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| HY27UF164G2B | 4 Гбит (256М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
4 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| HY27SF161G2A | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 50 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 20 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| S30MS01GR | 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R |
|
Spansion |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
| HY27UH08AG5M | 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 45 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| NAND01GW3B2C | 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| K9K8G08U0A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| NAND32GW3D4A | 32Гбит (2 кристалла по 16Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
32 | 8 | 4096 | 512 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| S30ML256P | 256Мбит (16М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
0.256 | 16 | 512 | 512 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
| K9HBG08U1M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TLGA-52 TSOPI-48 |
| HY27UH08AGDM | 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 45 | 0 ... 70 |
TLGA-52 |
| K9WAG08U1A | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TLGA-52 TSOPI-48 |
| MT29H32G08 | 32Гбит (4096М х 8 бит) High Speed NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
32 | 8 | 4096 | 512 | 6 | - | - | 2.7 ... 3.6 | - | 0 ... 70 |
TBGA-100 |
| TC58CVG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
