Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
TC58CVG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
MT29H32G08 32Гбит (4096М х 8 бит) High Speed NAND Flash Micron NAND Flash
32 8 4096 512 6 - - 2.7 ... 3.6 - 0 ... 70 TBGA-100
TC58CYG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
1 8 2048 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
MT29H16G08 16Гбит (2048М х 8 бит) High Speed NAND Flash Micron NAND Flash
16 8 4096 512 6 - - 2.7 ... 3.6 - 0 ... 70 VBGA-100
TC58CVG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
1 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
MT29H8G08 8Гбит (1024М х 8 бит) High Speed NAND Flash Micron NAND Flash
8 8 4096 512 6 - - 2.7 ... 3.6 - 0 ... 70 VBGA-100
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019