Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
HY27US16121B | 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 512 | 16 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
HY27UH08AG5M | 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 45 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
HY27UF161G2A | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
S34SL01G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
1 | 64 | 2048 | 128 | 25 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
S34SL02G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
2 | 64 | 2048 | 128 | 30 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
4 | 64 | 2048 | 128 | 30 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|