Компоненты группы NAND Flash
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
| TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
| TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
| TC58CVG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
| TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
| KFG1216Q2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 FBGA-67 |
| KFG1216U2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 FBGA-67 |
| KFH8GH6U4M | 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 16 | 4096 | 512 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 55 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| KFK8G16Q2M | 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| KFM1216Q2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| HY27UF081G2A | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
| MT29F1G16ABB | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 50 | - | - | 1.65 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| KFW4G16Q2M | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
4 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| NAND02GR3B2D | 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 45 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| KFG1216Q2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 20 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| HY27US08121B | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
| KFM1G16Q2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| KFG1G16Q2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| TC58NVM9S3CBAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 2112 | 132 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| K9F5608U0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 WSOPI-48 |
