Компоненты группы NAND Flash
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| HY27US16561A | 256 Мбит (16М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
0.256 | 16 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
| K9F5608R0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 1.65 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| KFG1216Q2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 20 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| NAND01GW3A2B | 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
1 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
|
| HY27US08561A | 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
| K9F1208U0C | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 42 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
| NAND512W4A2C | 512Мбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 512 | 16 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
| HY27SS16561A | 256 Мбит (16М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
0.256 | 16 | 512 | 16 | 60 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 20 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
| K9F1208B0C | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 42 | - | - | 2.5 ... 2.9 | 20 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| NAND512W3A2C | 512Мбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
| HY27US16281A | 128 Мбит (8М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
0.128 | 16 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 USOPI-48 |
| K9F1208R0C | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 42 | - | - | 1.65 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| HY27SS08561A | 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 16 | 60 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 20 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
| NAND02GR3B2C | 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 50 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 15 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| NAND01GR3B2B | 1Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 50 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 15 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| NAND512R4A2C | 512Мбит 1.8-вольтовая 16-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 512 | 16 | 50 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 15 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
| NAND512R3A2C | 512Мбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 15 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
| TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
| TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
| TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
