Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
KFH4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
KFG1216U2A 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
NAND512R4A2C 512Мбит 1.8-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
0.512 16 512 16 50 - - 1.7 ... 1.95 15 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
VFBGA-55
KFG1G16U2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
1 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 FBGA-63
TC58DVM92A3BAJW 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
0.512 8 528 16 50 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
K9F5608D0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
0.256 8 512 16 50 - - 2.4 ... 2.9 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
KFG1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
KFG1216U2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
0.512 16 2048 128 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
TC58CVG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
1 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CVG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
4 8 4096 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CYG0S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит Toshiba NAND Flash
1 8 2048 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CYG2S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит Toshiba NAND Flash
4 8 4096 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CVG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CYG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
MT29H32G08 32Гбит (4096М х 8 бит) High Speed NAND Flash Micron NAND Flash
32 8 4096 512 6 - - 2.7 ... 3.6 - 0 ... 70 TBGA-100
K9HBG08U1M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 2048 256 30 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TLGA-52
TSOPI-48
HY27UH08AGDM 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
16 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 45 0 ... 70 TLGA-52
K9WAG08U1A 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
16 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 35 -40 ... 85 TLGA-52
TSOPI-48
HY27US08281A 128 Мбит (16М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
0.128 8 512 16 50 - - 2.7 ... 3.6 20 0 ... 70 TSOPI-48
USOPI-48




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019