Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
S30MS01GR 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
1 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
S30MS01GR 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
1 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
KFH2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
TC58CYG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CVG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
HY27UG162G5A 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 16 1024 64 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 FBGA-63
KFN2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
HY27UF162G2B 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 16 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
HY27UF082G2B 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
ULGA-52
HY27UF162G2A 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 16 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
KFN2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S34SL02G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
2 64 2048 128 30 - ONFI 2.7 ... 3.6 32 -40 ... 85 BGA-63
HY27UF082G2A 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
ULGA-52
HY27SF162G2B 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 16 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 0 ... 70 TSOPI-48
NAND02GW4B2D 2Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
2 16 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
TC58NVG1S3CBAJX 256М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
2 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 FBGA-63
HY27SF082G2B 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 8 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 0 ... 70 TSOPI-48
KFH2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
NAND02GR4B2D 2Гбит 1.8-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
2 16 2048 128 45 - - 1.7 ... 1.95 20 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
TC58NVG1S3CTA00 256М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
2 8 2112 132 50 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019