Компоненты группы NAND Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Гбит)
Конфигурация (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Время
выборки (нс)
Буфер RAM (кБайт)
Интерфейс
VCC (В) От до
ICC (мА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 10 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Гбит
Конфигурация
бит
Страница
Байт
Блок
кБайт
Время
выборки
нс
Буфер RAM
кБайт
Интерфейс VCC
В
ICC
мА
TA
°C
Корпус
                               
NAND04GW3B2B 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
4 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
KFM4GH6Q4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 16 4096 256 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 50 -30 ... 85 FBGA-63
KFW4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
KFH4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
KFN4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
K9F4G08U0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
KFG4GH6U4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 16 4096 256 76 4 Demux 2.7 ... 3.6 55 -40 ... 85 FBGA-63
KFG4GH6Q4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
4 16 4096 256 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 50 -30 ... 85 FBGA-63
KFH4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS04GR 4Гбит (256М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
4 16 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
S30MS04GR 4Гбит (512М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
4 8 2048 128 25 - - 1.7 ... 1.95 40 -25 ... 85 TSOPI-48
KFN4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
4 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
MT29F4G08BAC 4Гбит (512М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash Micron NAND Flash
4 8 2048 128 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
KFH2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Demux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
TC58CYG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 1.675 ... 1.8 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
TC58CVG1S3H NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит Toshiba NAND Flash
2 8 2048 - - - SPI 3 ... 3.3 - -40 ... 85 SOP-16
WSON-8
HY27UG162G5A 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 16 1024 64 30 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 FBGA-63
KFN2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
2 16 2048 128 76 4 Mux 1.7 ... 1.95 30 -30 ... 85 FBGA-63
HY27UF162G2B 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 16 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 TSOPI-48
HY27UF082G2B 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
2 8 2048 128 25 - - 2.7 ... 3.6 30 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
ULGA-52
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 10 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019